Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor www.qycomp.com TK65E10N1,S1X
Número de pieza del fabricanteTK65E10N1,S1X
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible170960 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N CH 100V 148A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos TK65E10N1,S1X.pdf

Atributos del producto

Número de pieza TK65E10N1,S1X
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 148A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 192W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / caja TO-220-3
Peso 0.001 KG
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Repuesto TK65E10N1,S1X

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Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor

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