| Número de pieza del fabricante | TP65H050WS |
|---|---|
| Fabricante | Transphorm |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Cantidad disponible | 13870 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | 650 V 34 A CASCODE GAN FET |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | TP65H050WS.pdf |
| Número de pieza | TP65H050WS |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 34A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 400V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 119W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | TP65H050WS |
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