Taiwan Semiconductor Corporation Distribuidor www.qycomp.com TSM120N06LCR RLG
Número de pieza del fabricanteTSM120N06LCR RLG
FabricanteTaiwan Semiconductor Corporation
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible60390 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos TSM120N06LCR RLG.pdf

Atributos del producto

Número de pieza TSM120N06LCR RLG
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2116pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-PDFN (5x6)
Paquete / caja 8-PowerTDFN
Peso 0.001 KG
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Repuesto TSM120N06LCR RLG

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