Référence fabricant | 1N5553US |
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Fabricant | Microsemi Corporation |
catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Simples |
quantité disponible | 129440 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | 1N5553US.pdf |
Numéro d'article | 1N5553US |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Rectifié moyen (Io) | 3A |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 9A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | SQ-MELF, B |
Package de périphérique fournisseur | B, SQ-MELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | 1N5553US |
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