Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com 1N5553US
Numero di parte del produttore1N5553US
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoDiodi - Raddrizzatori - Singoli
Quantità disponibile129440 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneDIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati 1N5553US.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte 1N5553US
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Corrente - Rettificato medio (Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 800V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio 1N5553US

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Microsemi Corporation Distributore

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