Référence fabricant | 2SK879-GR(TE85L,F) |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
catégorie de produit | Transistors - JFET |
quantité disponible | 18640 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | JFET N-CH 0.1W USM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | 2SK879-GR(TE85L,F).pdf |
Numéro d'article | 2SK879-GR(TE85L,F) |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | - |
Drain à la tension de source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 2.6mA @ 10V |
Drain de courant (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 400mV @ 100nA |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
Résistance - RDS (On) | - |
Puissance - Max | 100mW |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | SC-70, SOT-323 |
Package de périphérique fournisseur | USM |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | 2SK879-GR(TE85L,F) |
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