Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com APT45GP120B2DQ2G
Référence fabricantAPT45GP120B2DQ2G
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible30310 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 1200V 113A 625W TMAX
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article APT45GP120B2DQ2G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 113A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 170A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
Puissance - Max 625W
Échange d'énergie 900µJ (on), 905µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 185nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/100ns
Condition de test 600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3 Variant
Package de périphérique fournisseur -
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Microsemi Corporation Distributeur

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