Référence fabricant | APT75GN120B2G |
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Fabricant | Microsemi Corporation |
catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
quantité disponible | 468618 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IGBT 1200V 200A 833W TMAX |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | APT75GN120B2G.pdf |
Numéro d'article | APT75GN120B2G |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Not For New Designs |
Type d'IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 225A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Puissance - Max | 833W |
Échange d'énergie | 8045µJ (on), 7640µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 425nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 60ns/620ns |
Condition de test | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
Package de périphérique fournisseur | - |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | APT75GN120B2G |
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