| Numero di parte del produttore | APT75GN120B2G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi Corporation |
| Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
| Quantità disponibile | 468618 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IGBT 1200V 200A 833W TMAX |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | APT75GN120B2G.pdf |
| Numero di parte | APT75GN120B2G |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Potenza - Max | 833W |
| Cambiare energia | 8045µJ (on), 7640µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 425nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 60ns/620ns |
| Condizione di test | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | APT75GN120B2G |
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