Référence fabricant | APTGFQ25H120T2G |
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Fabricant | Microsemi Corporation |
catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
quantité disponible | 75590 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IGBT 1200V 40A 227W MODULE |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | APTGFQ25H120T2G.pdf |
Numéro d'article | APTGFQ25H120T2G |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Not For New Designs |
Type d'IGBT | NPT and Fieldstop |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 40A |
Puissance - Max | 227W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 250µA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 2.02nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | SP2 |
Package de périphérique fournisseur | SP2 |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | APTGFQ25H120T2G |
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