Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com APTGFQ25H120T2G
Référence fabricantAPTGFQ25H120T2G
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
quantité disponible75590 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 1200V 40A 227W MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique APTGFQ25H120T2G.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article APTGFQ25H120T2G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT NPT and Fieldstop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 40A
Puissance - Max 227W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2.02nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Paquet / cas SP2
Package de périphérique fournisseur SP2
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange APTGFQ25H120T2G

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Microsemi Corporation Distributeur

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