| Référence fabricant | APTSM120AM14CD3AG |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| quantité disponible | 85640 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | POWER MODULE - SIC |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | APTSM120AM14CD3AG.pdf |
| Numéro d'article | APTSM120AM14CD3AG |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET Caractéristique | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 337A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Puissance - Max | 2140W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | APTSM120AM14CD3AG |
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