Rohm Semiconductor Distributeur www.qycomp.com BR25G512FJ-3GE2
Référence fabricantBR25G512FJ-3GE2
FabricantRohm Semiconductor
catégorie de produitMémoire
quantité disponible163170 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionSPI BUS EEPROM
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article BR25G512FJ-3GE2
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire EEPROM
La technologie EEPROM
Taille mémoire 512Kb (64K x 8)
Fréquence d'horloge 10MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 5ms
Temps d'accès -
Interface de mémoire SPI
Tension - Alimentation 1.8 V ~ 5.5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP-J
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange BR25G512FJ-3GE2

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