Référence fabricant | BS2100F-E2 |
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Fabricant | Rohm Semiconductor |
catégorie de produit | Durée de conservation |
quantité disponible | 178860 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IC DVR IGBT/MOSFET |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | BS2100F-E2.pdf |
Numéro d'article | BS2100F-E2 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Not For New Designs |
Configuration pilotée | Half-Bridge |
Type de canal | Independent |
Nombre de pilotes | 2 |
Type de porte | N-Channel MOSFET |
Tension - Alimentation | 10 V ~ 18 V |
Tension logique - VIL, VIH | 1V, 2.6V |
Courant - sortie de crête (source, évier) | 60mA, 130mA |
Type d'entrée | Non-Inverting |
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | 600V |
Rise / Fall Time (Typ) | 200ns, 100ns |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Package de périphérique fournisseur | 8-SOP |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | BS2100F-E2 |
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