Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com BSC0911NDATMA1
Référence fabricantBSC0911NDATMA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible16440 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article BSC0911NDATMA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Caractéristique Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur PG-TISON-8
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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