Référence fabricant | DF160R12W2H3_B11 |
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Fabricant | Infineon Technologies |
catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
quantité disponible | 163440 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IGBT MODULE VCES 1200V 150A |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | DF160R12W2H3_B11.pdf |
Numéro d'article | DF160R12W2H3_B11 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | - |
Configuration | - |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | - |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | - |
Thermistance NTC | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / cas | - |
Package de périphérique fournisseur | - |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | DF160R12W2H3_B11 |
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