Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMG4511SK4-13
Référence fabricantDMG4511SK4-13
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible94570 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMG4511SK4-13
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel, Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 35V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.3A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V
Puissance - Max 1.54W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Package de périphérique fournisseur TO-252-4L
Poids 0.001 KG
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