Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN1029UFDB-13
Référence fabricantDMN1029UFDB-13
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible62260 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMN1029UFDB-13
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 6V
Puissance - Max 1.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur U-DFN2020-6 (Type B)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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