Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN1053UCP4-7
Référence fabricantDMN1053UCP4-7
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible31920 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMN1053UCP4-7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 908pF @ 6V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.34W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur X3-DSN0808-4
Paquet / cas 4-XFBGA, CSPBGA
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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