Micron Technology Inc. Distributeur www.qycomp.com EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Référence fabricantEDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
FabricantMicron Technology Inc.
catégorie de produitMémoire
quantité disponible85080 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire 4Gb (128M x 32)
Fréquence d'horloge 533MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.14 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 134-WFBGA
Package de périphérique fournisseur 134-FBGA (10x11.5)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

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Micron Technology Inc. Distributeur

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