Référence fabricant | EPC2007C |
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Fabricant | EPC |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
quantité disponible | 93690 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | EPC2007C.pdf |
Numéro d'article | EPC2007C |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 50V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | Die Outline (5-Solder Bar) |
Paquet / cas | Die |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | EPC2007C |
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