| Référence fabricant | FD-DF80R12W1H3_B52 |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
| quantité disponible | 40250 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IGBT MODULE VCES 1200V 40A |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | FD-DF80R12W1H3_B52.pdf |
| Numéro d'article | FD-DF80R12W1H3_B52 |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 40A |
| Puissance - Max | 215W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 235nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | FD-DF80R12W1H3_B52 |
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