Référence fabricant | FD-DF80R12W1H3_B52 |
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Fabricant | Infineon Technologies |
catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
quantité disponible | 40250 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IGBT MODULE VCES 1200V 40A |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | FD-DF80R12W1H3_B52.pdf |
Numéro d'article | FD-DF80R12W1H3_B52 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 40A |
Puissance - Max | 215W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 235nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | Module |
Package de périphérique fournisseur | Module |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | FD-DF80R12W1H3_B52 |
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