Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com FD200R12KE3HOSA1
Référence fabricantFD200R12KE3HOSA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
quantité disponible123440 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT MODULE VCES 1200V 200A
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article FD200R12KE3HOSA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single Chopper
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Puissance - Max 1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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