Référence fabricant | FDD1600N10ALZD |
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Fabricant | ON Semiconductor |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
quantité disponible | 25590 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | FDD1600N10ALZD.pdf |
Numéro d'article | FDD1600N10ALZD |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 14.9W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | TO-252-5 |
Paquet / cas | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | FDD1600N10ALZD |
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