Référence fabricant | FGA40N65SMD |
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Fabricant | ON Semiconductor |
catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
quantité disponible | 38100 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IGBT 650V 80A 349W TO3P |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | FGA40N65SMD.pdf |
Numéro d'article | FGA40N65SMD |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | Field Stop |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
Puissance - Max | 349W |
Échange d'énergie | 820µJ (on), 260µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 119nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 12ns/92ns |
Condition de test | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 42ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-3P-3, SC-65-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-3PN |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | FGA40N65SMD |
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