ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com FQB630TM
Référence fabricantFQB630TM
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible125500 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique FQB630TM.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article FQB630TM
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.13W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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