Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com FZ1200R33KF2CNOSA1
Référence fabricantFZ1200R33KF2CNOSA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
quantité disponible23780 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMODULE IGBT A-IHV190-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article FZ1200R33KF2CNOSA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 3300V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2000A
Puissance - Max 14500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.25V @ 15V, 1200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 12mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 150nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange FZ1200R33KF2CNOSA1

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