Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IKD10N60RAATMA2
Référence fabricantIKD10N60RAATMA2
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible58110 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 600V 20A 150W TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IKD10N60RAATMA2
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 20A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Puissance - Max 150W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 64nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14ns/192ns
Condition de test 400V, 10A, 23 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 62ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Infineon Technologies Distributeur

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