Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IPB147N03LGATMA1
Référence fabricantIPB147N03LGATMA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible58120 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IPB147N03LGATMA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 31W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids 0.001 KG
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