Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IPB35N12S3L26ATMA1
Référence fabricantIPB35N12S3L26ATMA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible165300 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CHANNEL_100+
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IPB35N12S3L26ATMA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type -
La technologie -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Package de périphérique fournisseur -
Paquet / cas -
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange IPB35N12S3L26ATMA1

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Infineon Technologies Distributeur

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