Référence fabricant | IPD80R2K7C3AATMA1 |
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Fabricant | Infineon Technologies |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
quantité disponible | 130920 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET N-CH TO252-3 |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | IPD80R2K7C3AATMA1.pdf |
Numéro d'article | IPD80R2K7C3AATMA1 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | - |
La technologie | - |
Drain à la tension de source (Vdss) | - |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package de périphérique fournisseur | - |
Paquet / cas | - |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | IPD80R2K7C3AATMA1 |
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