Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IPN50R2K0CEATMA1
Référence fabricantIPN50R2K0CEATMA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible174950 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionCONSUMER
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique IPN50R2K0CEATMA1.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article IPN50R2K0CEATMA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 600mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 124pF @ 100V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 5W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223
Paquet / cas SOT-223-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange IPN50R2K0CEATMA1

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