Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IRG8CH184K10F
Référence fabricantIRG8CH184K10F
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible470956 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT CHIP WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IRG8CH184K10F
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 200A
Puissance - Max -
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 1110nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 135ns/640ns
Condition de test 600V, 200A, 2 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Die
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange IRG8CH184K10F

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