IXYS Distributeur www.qycomp.com IXFN50N120SIC
Référence fabricantIXFN50N120SIC
FabricantIXYS
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible114470 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IXFN50N120SIC
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 20V
Vgs (Max) +20V, -5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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