IXYS Distributeur www.qycomp.com IXTY08N100D2
Référence fabricantIXTY08N100D2
FabricantIXYS
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible25970 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IXTY08N100D2
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 800mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.6nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V
FET Caractéristique Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max) 60W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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