| Référence fabricant | MG12150D-BA1MM |
|---|---|
| Fabricant | Littelfuse Inc. |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
| quantité disponible | 17760 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IGBT 1200V 210A 1100W PKG D |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | MG12150D-BA1MM.pdf |
| Numéro d'article | MG12150D-BA1MM |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | - |
| Configuration | Half Bridge |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 210A |
| Puissance - Max | 1100W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 150A (Typ) |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | D3 |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | MG12150D-BA1MM |
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