ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com MJD112G
Référence fabricantMJD112G
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Simples
quantité disponible143720 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique MJD112G.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article MJD112G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 20µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Puissance - Max 1.75W
Fréquence - Transition 25MHz
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur DPAK
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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