IXYS Distributeur www.qycomp.com MKI50-12E7
Référence fabricantMKI50-12E7
FabricantIXYS
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
quantité disponible111260 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article MKI50-12E7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 90A
Puissance - Max 350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 800µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.8nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas E2
Package de périphérique fournisseur E2
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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