Référence fabricant | MRF8VP13350GNR3 |
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Fabricant | NXP USA Inc. |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - RF |
quantité disponible | 72920 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | TRANS RF LDMOS 350W 50V |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | MRF8VP13350GNR3.pdf |
Numéro d'article | MRF8VP13350GNR3 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS (Dual) |
La fréquence | 1.3GHz |
Gain | 19.2dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Actuel - Test | 100mA |
Puissance - Sortie | 350W |
Tension - Rated | 100V |
Paquet / cas | OM-780G-4L |
Package de périphérique fournisseur | OM-780G-4L |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | MRF8VP13350GNR3 |
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