Référence fabricant | MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR |
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Fabricant | Micron Technology Inc. |
catégorie de produit | Mémoire |
quantité disponible | 55140 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR.pdf |
Numéro d'article | MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de la mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Tb (256G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface de mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5 V ~ 3.6 V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / cas | - |
Package de périphérique fournisseur | - |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR |
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