ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com NGTB30N120FL2WG
Référence fabricantNGTB30N120FL2WG
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible169790 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 1200V 60A 452W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article NGTB30N120FL2WG
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Puissance - Max 452W
Échange d'énergie 2.6mJ (on), 700µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 220nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 98ns/210ns
Condition de test 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 240ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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