ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com NGTD23T120F2WP
Référence fabricantNGTD23T120F2WP
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible461718 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article NGTD23T120F2WP
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A
Puissance - Max -
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test -
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Die
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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