Nexperia USA Inc. Distributeur www.qycomp.com PMDPB30XN,115
Référence fabricantPMDPB30XN,115
FabricantNexperia USA Inc.
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible162110 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique PMDPB30XN,115.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article PMDPB30XN,115
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
Puissance - Max 490mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN2020-6
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange PMDPB30XN,115

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