Rohm Semiconductor Distributeur www.qycomp.com RGT30NS65DGTL
Référence fabricantRGT30NS65DGTL
FabricantRohm Semiconductor
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible162980 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 650V 30A 133W TO-263S
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article RGT30NS65DGTL
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Puissance - Max 133W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 32nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/64ns
Condition de test 400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 55ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur LPDS (TO-263S)
Poids 0.001 KG
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