Référence fabricant | RN1119MFV,L3F |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés |
quantité disponible | 194550 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | RN1119MFV,L3F.pdf |
Numéro d'article | RN1119MFV,L3F |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | SOT-723 |
Package de périphérique fournisseur | VESM |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | RN1119MFV,L3F |
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