| Référence fabricant | RN1966FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés |
| quantité disponible | 148200 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | RN1966FE(TE85L,F).pdf |
| Numéro d'article | RN1966FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Puissance - Max | 100mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur | ES6 |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | RN1966FE(TE85L,F) |
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