Rohm Semiconductor Distributeur www.qycomp.com SCT3030ALGC11
Référence fabricantSCT3030ALGC11
FabricantRohm Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible86150 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET NCH 650V 70A TO247N
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SCT3030ALGC11
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 27A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 13.3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 18V
Vgs (Max) +22V, -4V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1526pF @ 500V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 262W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247N
Paquet / cas TO-247-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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