Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com SGB15N120ATMA1
Référence fabricantSGB15N120ATMA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible127510 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 1200V 30A 198W TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SGB15N120ATMA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 52A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 15A
Puissance - Max 198W
Échange d'énergie 1.9mJ
Type d'entrée Standard
Charge de porte 130nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/580ns
Condition de test 800V, 15A, 33 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur PG-TO263-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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