Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SI3552DV-T1-GE3
Référence fabricantSI3552DV-T1-GE3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible161830 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SI3552DV-T1-GE3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.15W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Vishay Siliconix Distributeur

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