Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SI4829DY-T1-E3
Référence fabricantSI4829DY-T1-E3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible165920 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SI4829DY-T1-E3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 10V
FET Caractéristique Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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