Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SI5406CDC-T1-GE3
Référence fabricantSI5406CDC-T1-GE3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible83250 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SI5406CDC-T1-GE3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 6V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 1206-8 ChipFET™
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Vishay Siliconix Distributeur

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